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34卷第9期(总第288期)

2017年9月

产业评论
P1
为中国集成电路发展做出应有贡献
周晓阳
10.19339/j.issn.1674-2583.2017.9.001

市场分析
P6-10
2016 年全球半导体产业的基本情况分析
王龙兴
2016 年全球半导体市场上半年低迷,下半年回暖,全年市场规模为 3 389 亿美元,年增1.1%。预计 2017~2018 年继续增长 4%~7%,全球半导体产业进入温和增长期。随着全球半导体产业越趋成熟,其跟随全球 GDP 总量变化的相关性更趋明显。据 SIA 统计,2016 年中国大陆年度销售规模增长第一,大增 9.2%;日本由负转正,上升3.8%;美国减少 4.7%;欧洲下滑 4.5%;亚太及其他地区小减 1.7%。
10.19339/j.issn.1674-2583.2017.9.002


P11-14
中国集成电路产业链的现状分析
于燮康
2017 年“芯动西安”活动周启动仪式在西安隆重开幕,国家集成电路封测产业链技术创新战略联盟秘书长于燮康应邀做了题为《中国集成电路产业链的现状分析》的主旨报告。以他五十年的产业经历从设计、制造、封测、装备材料、区域布局、大基金、产业前景与产业发展路径等七个方面对我国集成电路产业现状进行了分析。
10.19339/j.issn.1674-2583.2017.9.003

P15-18
2016 年全球与中国半导体市场分析
石春琦
全球半导体市场在经过 2015 年与 2016 年连续两年徘徊之后,2016 年走出阴影,止跌回升。与此同时,中国集成电路产业在《国家集成电路产业发展推进纲要》的指引和国家集成电路产业投资基金的支持下,持续快速挺进,在全球引起较大的反响。通过分析全球半导体市场和我国集成电路市场总体趋势,展示中国半导体业崛起不可逆转。
10.19339/j.issn.1674-2583.2017.9.004

P19-21
长电科技在全球封测业竞争中胜出的四个条件
艾西苑
与全球封测巨头比拼,必须具备四个条件才能胜出。首先要有一流的技术,其次要进入国际顶尖供应链。第三要有充足的资金,这也是引大基金和中芯国际入股的原因。第四是有国际化经营团队,中芯国际是无实际控股人的国际化大公司,这种管理模式同样适合长电科技。具备了这 4 大条件,加上中国市场的快速发展,就能让长电科技成为一个健康的企业,去冲击更高的目标。
10.19339/j.issn.1674-2583.2017.9.005

研究与设计
P22-27
先进集成电路技术发展现状分析
张卫
集成电路技术到 22/20 nm 节点,世界技术先进厂商和技术研究机构出现了分歧,如Intel 率先采用 FinFET 技术,而 TSMC 继续沿用平面体硅技术。未来,在摩尔定律的主旋律下,国际主要集成电路企业技术发展路线在各个节点不尽相同,各显神通。在半导体存储器产品领域,先进集成电路技术面临的重大问题及挑战。针对我国当前电子信息技术良好的发展形势,进一步分析集成电路先进节点技术和存储器技术。
10.19339/j.issn.1674-2583.2017.9.006

P28-34
集成电路可靠性模型与退化行为仿真研究进展
金锋
随着集成电路线宽的等比例缩小,可靠性问题日益严重。可靠性设计(Design-For-Reliability),即要求设计人员在电路设计时考虑器件可靠性失效模型,并进行仿真,力求在设计阶段就保证电路长期稳定运行。介绍集成电路中的关键可靠性问题,分别阐述了 HCI、NBTI、TDDB 和 EM 的物理失效机理以及业界通用的经验模型,并总结了目前主要的商用可靠性仿真工具及其流程。
10.19339/j.issn.1674-2583.2017.9.007

P35-39
开关电源的电磁兼容问题分析
张飞,李志强
由于现在开关电源的速度越来越快,功率越来越高,密度越来越大,必然会产生干扰问题,我们就要解决这个干扰。干扰分为两个方面,一个是干扰其他的电器产品,电磁干扰EMI(electromagnetic interference);另一个是被其他电器产品干扰,也叫抗干扰性EMS(electromagnetic susceptibility)。分析电磁兼容EMC(electromagnetic compatibility)原理,提出了解决差模干扰和共模干扰的方案。
10.19339/j.issn.1674-2583.2017.9.008


P40-42 射频和微波电路设计中值得重视的几个问题
沈同军,章征
当今的设计人员和工程师面临着日益加剧的设计挑战,因此很有必要拥有一款能够高效率支持射频和微波设计的 PCB 设计工具。手动建立复杂的铜箔形状、倒角和 via 模式是一个既耗时又容易出错的过程。透过使用有效的设计工具提高操作射频和微波元素的能力,设计人员可以集中精力实施更多功能和缩小设备尺寸,同时保持较高的产品质量。
10.19339/j.issn.1674-2583.2017.9.009

工艺与制造
P43-47 深沟槽型超级结耐压提升优化报告
王飞
根据深沟槽型超级结器件的耐压原理和沟槽刻蚀填充的工艺特征,可以通过对填充工艺的调整来提升产品的耐压能力。基于沟槽型超级结 MOSFET,分析了深沟槽型超级结器件的耐压特性与工艺相关性,提出了针对的解决方案,并且通过理论和流片进行验证。
10.19339/j.issn.1674-2583.2017.9.010

P48-51
LV/HV 兼容Twice-Well CMOS芯片与制程结构
潘桂忠
LV/HV 兼容 Twice-Well CMOS 技术,该技术能够实现低压 5 V 与高压 100 V~700 V (或更高)兼容 CMOS 工艺。为了便于高低压 MOS 器件兼容集成,采用比通常浅双阱更深的阱,形成其漂移区的偏置栅结构的 HV MOS 器件。采用 MOS 芯片结构设计﹑工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。
10.19339/j.issn.1674-2583.2017.9.011

P52-57
半导体干法刻蚀机台传送微环境对缺陷影响的研究
刘东升
探讨美国LAM2300 E4(平台型号)型机台多晶硅Poly干法刻蚀工艺下易发缺陷造成低良率问题的改善方案。该干法刻蚀工艺由于刻蚀后晶圆表面残留腐蚀性挥发气体较多,易引发晶圆产生缺陷的风险,这一现象通过刻蚀、未刻蚀硅片的混装实验得到了证实。本文通过研究LAM2300 E4、V2(平台型号)型大气传送机构(ATM)的风压,发现:(1)风压的差异是导致该低良率问题的主要原因;(2)E4平台的风压明显小于V2平台,是E4平台易发低良率的主要原因。文中通过调整E4平台FFU(风机过滤单元)风速设定,适当提高ATM风压有效改善了E4平台机台因缺陷易发而造成的低良率问题。
10.19339/j.issn.1674-2583.2017.9.012

P58-63
FinFET之后的集成电路制造工艺研究
Mark LaPedus
芯片制造商已经在基于 10 nm 和/或 7 nm FinFET 准备他们的下一代技术了,但我们仍然还不清楚 FinFET 还能坚持多长时间、用于高端设备的 10 nm 和 7 nm 节点还能延展多久以及接下来会如何。在 5 nm、3 nm 以及更小节点,半导体行业还面临着巨大的不确定性和许多难题。即使在今天,随着每个节点的工艺复杂度和成本的上升,传统的芯片尺寸缩减也在放缓。因此,能够负担先进节点芯片设计的客户越来越少。FinFET 之后,集成电路怎么发展。
10.19339/j.issn.1674-2583.2017.9.013

P64-74
超级结沟槽刻蚀对击穿电压均匀性的改善
吴长明,冯大贵,熊淑平
超级结器件和传统功率器件相比有导通电阻低击穿电压高的特点,在汽车电子,低压电机,变频器,逆变器,电压控制器件和变压器等领域,具有越来越广泛的应用。本文针对如何改善超级结器件的击穿电压参数问题,从深沟槽的刻蚀工艺参数优化和硬件改造(BSR)等方面开展了研究,最终确定了以 SF6 / O2 为主刻蚀气体,反应压力在 30~35 mT,温度为15℃ 等为基准的刻蚀工艺条件。针对晶圆边缘的针状缺陷这一缺陷问题对机台进行了改造,开发了一种称为BSR(bottom shadow ring)的部件,加入这一部件后能够完全消除边缘缺陷同时对均匀性有了进一步的提升。从而改善超级结器件击穿电压参数的均匀性和稳定性同时提高了产品成品率。这一研究为超级结芯片的国产化做出了贡献。
10.19339/j.issn.1674-2583.2017.9.014

P75-83
2016 年全球半导体产业的资本投入与晶圆制造的产能和半导体设备材料市场分析
王龙兴
分析了 2016 年全球半导体产业的资本投入以及研发经费支出、全球晶圆生产线建设和产能的扩张情况、全球半导体设备市场和全球半导体材料市场的情况。全球晶圆生产线建设和产能扩张,主要用于大宗数量的商品化芯片生产,如 DRAM、NAND Flash、CMOS 图像传感器(CIS)、电源管理以及芯片尺寸较大且工艺复杂的逻辑芯片和微处理器芯片等。2016 年半导体设备订单的总额比 2015 年高出 24%。2016 年销售的半导体设备类别包括晶圆加工、封装测试和其他前端设备,如掩膜/掩膜版制造、晶片制造和晶圆厂配套设施等。
10.19339/j.issn.1674-2583.2017.9.015

创新应用
P84-87
2016年上海集成电路产业发展的政策环境分析
杨荣斌
产业环境是产业成长与发展的土壤和雨水。2016 年作为“十三五”开局之年,上海集成电路产业发展的政策措施密集实施,上海集成电路产业投资基金顺利完成首期 285 亿元募资,一批与集成电路产业发展密切相关的措施和项目相继出台,中芯国际(上海)和华力微电子 12 英寸晶圆生产线开工建设,上海集成电路产业发展环境呈现出蓬勃发展的新气象。
10.19339/j.issn.1674-2583.2017.9.016

 

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